ХАЙКИН Моисей Семенович: различия между версиями
Admin (обсуждение | вклад) (Importing text file) |
Admin (обсуждение | вклад) (Importing text file) |
||
| (не показана 1 промежуточная версия этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
ХАЙКИН Моисей Семенович (1921, Москва – 1990, там же), физик. Д-р физ.-матем. наук (1964), проф. (1989), ч.-к. АН СССР (1987). Сын С.Э.[[Хайкина]]. В 1947 окончил МГУ. С 1945 – в Ин-те физ. проблем АН СССР. Одноврем. преподавал в МГУ (1947–50), затем в МФТИ. Один из организаторов журн. «Приборы и техника эксперимента» (с 1988 гл. ред.). Осн. тр. по физике низких темп-р и физике металлов. Создал дилатометр (1968), разработал метод измерения поверхностного сопротивления металлов при низких темп-рах (1961), методику выращивания ориентированных металлич. монокристаллов заданной формы. Провел прецизионные иссл. циклотронного резонанса в нек-рых металлах (1959–73). Открыл магн. поверхностные уровни (1960; пр. им. М.В.Ломоносова АН СССР, 1970). Обнаружил циклотронный резонанс на неэкстремальных орбитах. Исследовал устойчивость заряженной поверхности жидкого гелия. Обнаружил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах. [[Категория:Персоналии]] | ХАЙКИН Моисей Семенович (1921, [[Москва]] – 1990, там же), физик. Д-р физ.-матем. наук (1964), проф. (1989), ч.-к. АН СССР (1987). Сын С.Э.[[Хайкин|Хайкина]]. В 1947 окончил МГУ. С 1945 – в Ин-те физ. проблем АН СССР. Одноврем. преподавал в МГУ (1947–50), затем в МФТИ. Один из организаторов журн. «Приборы и техника эксперимента» (с 1988 гл. ред.). Осн. тр. по физике низких темп-р и физике металлов. Создал дилатометр (1968), разработал метод измерения поверхностного сопротивления металлов при низких темп-рах (1961), методику выращивания ориентированных металлич. монокристаллов заданной формы. Провел прецизионные иссл. циклотронного резонанса в нек-рых металлах (1959–73). Открыл магн. поверхностные уровни (1960; пр. им. М.В.Ломоносова АН СССР, 1970). Обнаружил циклотронный резонанс на неэкстремальных орбитах. Исследовал устойчивость заряженной поверхности жидкого гелия. Обнаружил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах. | ||
[[Категория:Персоналии]] | |||
Текущая версия от 02:25, 30 августа 2009
ХАЙКИН Моисей Семенович (1921, Москва – 1990, там же), физик. Д-р физ.-матем. наук (1964), проф. (1989), ч.-к. АН СССР (1987). Сын С.Э.Хайкина. В 1947 окончил МГУ. С 1945 – в Ин-те физ. проблем АН СССР. Одноврем. преподавал в МГУ (1947–50), затем в МФТИ. Один из организаторов журн. «Приборы и техника эксперимента» (с 1988 гл. ред.). Осн. тр. по физике низких темп-р и физике металлов. Создал дилатометр (1968), разработал метод измерения поверхностного сопротивления металлов при низких темп-рах (1961), методику выращивания ориентированных металлич. монокристаллов заданной формы. Провел прецизионные иссл. циклотронного резонанса в нек-рых металлах (1959–73). Открыл магн. поверхностные уровни (1960; пр. им. М.В.Ломоносова АН СССР, 1970). Обнаружил циклотронный резонанс на неэкстремальных орбитах. Исследовал устойчивость заряженной поверхности жидкого гелия. Обнаружил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах.
